IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高功率電子元件，其應用范圍從電力變換到電力控制。選擇合適的IGBT對于確保系統的安全性、效率和可靠性至關重要。在選型替換過程中，了解IGBT的關鍵參數是非常重要的。本文將為您提供有關IGBT的基本知識合集，特別是在選擇合適的IGBT時有用的電氣參數、開關特性、熱參數以及安全工作區等方面。

1. 電氣參數

（1）集電極-發射極電壓（VCES 或 VCEO）

定義：IGBT能承受的最大集電極-發射極電壓。重要性：決定了器件可工作的最高母線電壓，通常需留20%~30%裕量。因此，在選型替換過程中，需要考慮IGBT所允許的最大集電極-發射極電壓，以確保系統的安全性和效率。

（2）集電極連續電流（IC）

定義：在規定殼溫（如 Tc=25C 或 Tj=150C）下允許的連續集電極電流。注意區分：DC電流 vs 脈沖電流（IC(pulse)）。因此，在選型替換過程中，需要考慮IGBT所允許的最大集電極連續電流，以確保系統的安全性和效率。

2. 開關特性

（1）開通時間（ton=td(on)+tr）

延遲時間 td(on) + 上升時間 tr。因此，在選型替換過程中，需要考慮IGBT的開通時間，以確保系統的安全性和效率。

3. 熱參數

（1）結溫（Tj）

最大允許結溫，通常為 150°C 或 175°C。因此，在選型替換過程中，需要考慮IGBT所允許的最大結溫，以確保系統的安全性和效率。

4. 安全工作區（SOA）

包括正向偏置安全工作區（FBSOA）和反向偏置安全工作區（RBSOA），尤其在短路條件下至關重要。因此，在選型替換過程中，需要考慮IGBT的安全工作區，以確保系統的安全性和效率。

5. 短路耐受能力

IGBT在短路條件下的承受時間（如 10 μs），對保護電路設計很關鍵。因此，在選型替換過程中，需要考慮IGBT的短路耐受能力，以確保系統的安全性和效率。

6. 其他參數

二極管參數（若集成續流二極管）：如 VF（正向壓降）、trr（反向恢復時間）。dv/dt 和 di/dt 耐受能力：影響EMI和可靠性。因此，在選型替換過程中，需要考慮IGBT的其他參數，以確保系統的安全性和效率。

應用提示：

高頻應用：關注開關損耗、柵極電荷、反向恢復特性。高功率應用：關注導通壓降、熱阻、電流能力。驅動設計：需匹配 Qg 和開關速度，避免米勒平臺引起的誤開通。

在選型替換過程中，需要考慮IGBT的電氣參數、開關特性、熱參數以及安全工作區等方面，以確保系統的安全性和效率。同時，還需要考慮IGBT的其他參數，如二極管參數、dv/dt 和 di/dt 耐受能力等，以確保系統的可靠性和高頻應用的需求。

(責任編輯：佚名)